Una celda de SRAM guarda un bit con dos inversores que se alimentan el uno al otro. Cuanto más se «agarran» entre sí, más ruido aguantan sin volcarse — y eso se mide dibujando la curva de cada inversor contra la del otro: sale una mariposa, y el lado del mayor cuadrado que cabe dentro es el margen de ruido estático (SNM). Mueve los mandos y míralo encogerse.
La celda, transistor a transistor
M1/M2 y M3/M4 son los dos inversores; M5 y M6 son los transistores de acceso, que sólo conducen cuando la línea de palabra está activa. Pasa el ratón por cada uno para ver su papel.
La mariposa y el cuadrado
Abrir la palabra se come el 39 % del margen: de 398 mV reteniendo a 244 mV leyendo. Eso es el «read disturb».
De un margen a una memoria que funciona
Un margen de 200 mV no dice gran cosa por sí solo: lo que decide es cuántas desviaciones típicas caben dentro. Cada celda del chip sale un poco distinta, y basta que UNA falle para estropear la palabra. Por eso en memoria se habla de 6σ y no de «suficiente».
Esto es una ilustración, no un análisis. Supone que el margen se reparte como una campana y que las celdas fallan de forma independiente. Un estudio de verdad usa Monte-Carlo con los modelos de variabilidad de la fábrica, y la cola real no es una campana. Sirve para entender por qué el tamaño del array manda; no para decidir nada.
Los tres paneles usan modelos de primer orden y lo dicen en su sitio. Aquí no hay comprobación de reglas de diseño, ni extracción de parásitos, ni colocación y rutado automáticos: eso es software profesional y no cabe —ni debe— en una pestaña del navegador. Para layout de verdad: Magic, OpenROAD o KLayout. Y si lo que quieres es dibujar el silicio capa a capa y verlo en corte, SiliWiz hace justo eso y lo hace bien.